摘要： 建立了ECR微波等离子体源离子输运的平板和柱面模型,对离子历经的空间区域的输运过程进行了数值研究。在平板模型下,采用M-C方法模拟了离子离开放电室后历经中性区、鞘层区,最后被加负偏压的工件表面吸收的全过程。考虑了离子与中性粒子的电荷交换碰撞和弹性散射,统一处理了中性区和鞘层区电势的衔接。先前方法是采用经验公式,连接不光滑,理论上也不自洽。采用曲线拟合,电势自洽的方法成功地把中性区和鞘层区衔接起来,得到自洽电势分布和鞘层区不同位置处的速度分布、能量分布及角分布。在圆柱模型下,提出了二次电子发射形成"屏蔽区"的概念,讨论了磁场、气压以及二次电子发射对鞘势的影响。