含色心BaMgF4晶体电子结构的研究

计算物理 ›› 2011, Vol. 28 ›› Issue (3): 451-455.

含色心BaMgF₄晶体电子结构的研究

康玲玲, 刘廷禹, 张启仁, 徐灵芝

上海理工大学理学院, 上海 200093

收稿日期:2010-03-29 修回日期:2010-06-24 出版日期:2011-05-25 发布日期:2011-05-25
通讯作者: 刘廷禹,E-mail:liutyyxj@163.com
作者简介:康玲玲(1986-),女,陕西,硕士生,从事凝聚态物理研究,上海市军工路314号8舍614室200090
基金资助:
上海市教育委员会创新基金(批准号:09YZ210);上海市光学工程重点学科(批准号:S30502)资助项目

Electronic Structures of BaMgF₄ Crystal with F Color Centres

KNAG Lingling, LIU Tingyu, ZHANG Qiren, XU Lingzhi

College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China

Received:2010-03-29 Revised:2010-06-24 Online:2011-05-25 Published:2011-05-25

摘要/Abstract

摘要： 运用相对论性的密度泛函离散变分法(DV-X_α)研究BaMgF₄晶体中F型色心的电子结构.计算中采用冻结原子核的H原子模拟F心,在DV-X_α源程序增加H原子2p态,使F心激发态的计算结果在物理上更加合理.计算结果表明,F心的基态和激发态均出现在禁带中;并用过渡态的方法计算得到F心的电子从基态到激发态的光学跃迁能量为5.12 eV,对应242 nm处的吸收带,计算结果与实验结果吻合得很好,因此,推测F心在BaMgF₄晶体中引起236~274 nm的吸收.

关键词: 电子结构, F心, 离散变分法, BaMgF₄晶体

Abstract: Electronic structure of BaMgF₄ crystal containing F color centers is studied within the framework of fully relativistic self-consistent Dirac-Slater theory,using a numerically discrete variational(DV-X_α) method.2p state of H atom is added into the program.It is concluded that energy levels of F color center are located in forbidden band of the crystal.Optical transition energy from ground state to excited state of the F color center is 5.12 eV,which corresponds to 242 nm absorption bands.They are well consisted with experiments.Absorption bands resulted from an F color center in BaMgF₄ crystal are located in 236-274 nm.

Key words: electronic structures, F color center, DV-X_α, BaMgF₄ crystal

中图分类号:

O77+3

康玲玲, 刘廷禹, 张启仁, 徐灵芝. 含色心BaMgF₄晶体电子结构的研究[J]. 计算物理, 2011, 28(3): 451-455.

KNAG Lingling, LIU Tingyu, ZHANG Qiren, XU Lingzhi. Electronic Structures of BaMgF₄ Crystal with F Color Centres[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2011, 28(3): 451-455.

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Electronic Structures of BaMgF₄ Crystal with F Color Centres

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