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硅纳米结点电子输运性质的计算
柳福提, 程艳, 羊富彬, 程晓洪, 陈向荣
计算物理
2013, 30 (6):
943-948.
运用第一性原理密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对3个Si原子构成的直线链耦合在Au(100)面形成的三明治结构的纳米结点的电子输运进行计算.结果得到结点电导随距离的变化,当dz=1.584 nm时,结合能最小,结构最稳定,此时Si-Si键长为0.216 nm,Si-Au键长为0.227 nm,电导为0.729 G0(G0=2e2/h),其电子传输通道主要由Si原子的px、py轨道电子构成;随着外电压的增大,结点的电导减小,而其I-V曲线表现出线性特征.
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