SiC电子霍耳迁移率的计算

计算物理 ›› 2006, Vol. 23 ›› Issue (1): 80-86.

SiC电子霍耳迁移率的计算

王平, 杨银堂, 杨燕

西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 陕西西安 710071

收稿日期:2004-10-19 修回日期:2005-02-25 出版日期:2006-01-25 发布日期:2006-01-25
作者简介:王平(1977-),男,陕西西安,博士生,从事岛SiC半导体材料数值计算及其器件建模方面的研究.
基金资助:
教育部重点(02074);国防科技预研基金(51408010601DZ1032)资助项目

A Calculation of Electron Hall Mobility in SiC

WANG Ping, YANG Yin-tang, YANG Yan

Ministry of Edu. Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Microelectronics Institute, Xidian University, Xi′an 710071, China

Received:2004-10-19 Revised:2005-02-25 Online:2006-01-25 Published:2006-01-25

摘要/Abstract

摘要： 基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值有很好的一致性.

关键词: 6H碳化硅, 电子霍耳迁移率, 霍耳散射因子, 解析模型

Abstract: With analysis of conduction band structure and isotropic relaxation time approximation, an analytical model for the electron Hall mobility and Hall scattering factor of n-type 6H-SiC is proposed. The impact of different scattering mechanisms on the low field electron transport in 6H-SiC is illustrated clearly. Three ellipsoidal and parabolic constant energy surfaces simplification are used. The calculated results are in good agreement with physical measurements.

Key words: 6H-SiC, electron Hall mobility, Hall scattering factor, analytical model

中图分类号:

TN304.2

王平, 杨银堂, 杨燕. SiC电子霍耳迁移率的计算[J]. 计算物理, 2006, 23(1): 80-86.

WANG Ping, YANG Yin-tang, YANG Yan. A Calculation of Electron Hall Mobility in SiC[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2006, 23(1): 80-86.

[1]	王平, 杨银堂, 刘增基, 尚韬, 郭立新. 4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算[J]. 计算物理, 2011, 28(1): 145-151.
[2]	刘其军, 刘正堂, 冯丽萍. A-La₂O₃电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 计算物理, 2010, 27(5): 752-758.
[3]	王平, 杨银堂, 屈汉章, 杨燕, 李跃进, 贾护军. SiC电子输运特性的Monte Carlo数值模拟[J]. 计算物理, 2005, 22(3): 245-250.