EACVD低温合成金刚石薄膜中非线性电场的数值模拟

计算物理 ›› 2003, Vol. 20 ›› Issue (5): 399-402.

EACVD低温合成金刚石薄膜中非线性电场的数值模拟

赵庆勋, 张靖, 辛红丽, 文钦若, 杨景发

河北大学物理科学与技术学院, 河北保定 071002

收稿日期:2002-08-09 修回日期:2002-12-17 出版日期:2003-09-25 发布日期:2003-09-25
作者简介:赵庆勋(1964-),男,河北威县,副教授,博士,主要从事等离子体、光学与材料物理方州的研究.
基金资助:
河北省自然科学基金(503130)资助项目

Numerical Simulation of Nonlinear Electric Field in Diamond Film Growth at Low Temperature via EACVD

ZHAO Qing-xun, ZHANG Jing, XIN Hong-li, WEN Qin-ruo, YANG Jing-fa

College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China

Received:2002-08-09 Revised:2002-12-17 Online:2003-09-25 Published:2003-09-25

摘要/Abstract

摘要： 采用蒙特卡罗模拟方法,研究了电子辅助热丝化学气相沉积(EACVD)技术低温合成金刚石薄膜过程中反应区的非线性电场分布.结果表明:阳极基片附近反应区电场的空间分布按指数规律变化,在一定的偏压条件下,随着气压的变化阳极附近将出现反向电场,对于金刚石薄膜的低温合成中的正离子分子,该反向电场起重要作用.

关键词: 蒙特卡罗模拟, 金刚石薄膜, EACVD

Abstract: Monte Carlo simulations are adopted to study the distribution of the nonlinear electric field in the reaction field of diamond film growth at low temperature via EACVD. The results indicate that the distribution of the electric field near the anode in the reaction field changes by exponential rules. Under certain bias voltages with the changing of pressure, there will be a reverse electric field near the anode. This reverse electric field is very important to some positive ions in diamond film growth at low temperature.

Key words: Monte Carlo simulation, diamond film, EACVD

中图分类号:

O484.1

赵庆勋, 张靖, 辛红丽, 文钦若, 杨景发. EACVD低温合成金刚石薄膜中非线性电场的数值模拟[J]. 计算物理, 2003, 20(5): 399-402.

ZHAO Qing-xun, ZHANG Jing, XIN Hong-li, WEN Qin-ruo, YANG Jing-fa. Numerical Simulation of Nonlinear Electric Field in Diamond Film Growth at Low Temperature via EACVD[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2003, 20(5): 399-402.

[1]	杨波, 衷斌, 徐琪, 成立, 潘流俊, 沈华韵. (α, n)反应中子产额与能谱计算方法[J]. 计算物理, 2021, 38(4): 393-400.
[2]	李胜强. 一种针对弱场搜寻态冷极性分子的可控静电表面囚禁方案[J]. 计算物理, 2017, 34(6): 731-739.
[3]	付元光, 郑建华, 上官丹骅, 李瑞, 李刚, 马彦, 邓力. 蒙特卡罗粒子输运软件JMCT的网格计数功能设计与实现[J]. 计算物理, 2016, 33(5): 581-586.
[4]	张旭辉, 郑委, 刘庆杰, 鲁晓兵. 裂隙多孔介质双重逾渗模型的算法实现[J]. 计算物理, 2014, 31(2): 191-199.
[5]	刘志亮, 毛用泽. 由X射线成像反推核爆当量的蒙特卡罗模拟[J]. 计算物理, 2010, 27(1): 15-22.
[6]	张立波, 程锦荣. 氮化硼纳米管阵列储氢的计算机模拟[J]. 计算物理, 2007, 24(6): 740-744.
[7]	程锦荣, 丁锐, 刘遥. 分形聚集逾渗性质的计算机模拟[J]. 计算物理, 2007, 24(1): 83-89.
[8]	王林香, 祝恒江, 张石峰, 王世亨. 200 keV V⁺注入花生种子深度-浓度分布的蒙特卡罗模拟[J]. 计算物理, 2006, 23(6): 743-747.
[9]	程锦荣, 袁兴红, 赵敏, 黄德财, 赵力, 张立波. 结构与尺寸对碳纳米管物理吸附储氢的影响[J]. 计算物理, 2005, 22(1): 70-76.
[10]	张连珠. 宏观放电参数对快原子态氮(N⁺,N_f)的影响[J]. 计算物理, 2003, 20(5): 403-407.
[11]	董夏兰, 李延欣, 孙家钟. 金刚石薄膜生长条件气相反应的动力学分析[J]. 计算物理, 1996, 13(4): 439-444.
[12]	荣垂庆, 李延欣, 丁培柱. 以气相氢原子活化金刚石附氢(111)面的分子轨道方法研究[J]. 计算物理, 1996, 13(2): 227-231.
[13]	叶沿林. 用C语言编写的γ-电子级联过程的蒙特卡罗模拟程序GET[J]. 计算物理, 1994, 11(3): 379-383.
[14]	张许生. 用蒙特卡罗模拟方法计算EAS阵列的有效探测面积[J]. 计算物理, 1993, 10(4): 517-522.
[15]	王仲奇. Fritiof程序的移植和开发[J]. 计算物理, 1993, 10(4): 523-524.