表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响

计算物理 ›› 2003, Vol. 20 ›› Issue (5): 418-422.

表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响

杨林安¹, 张义门¹, 于春利¹, 杨永民², 张玉明¹

1. 西安电子科技大学微电子研究所, 陕西西安 710071;
2. 西北工业大学微波教研室, 陕西西安 710072

收稿日期:2002-05-31 修回日期:2002-10-14 出版日期:2003-09-25 发布日期:2003-09-25
作者简介:杨林安(1965-),男,河北,讲师,博士生,从事SIC射壤砖率器件毪壤厦工艺应用的研究.
基金资助:
国防科技预研基金(No.8.1.7.3)资助项目

Surface-state Effects on Silicon Carbide Power MESFET's

YANG Lin-an¹, ZHANG Yi-men¹, YU Chun-li¹, YANG Yong-min², ZHANG Yu-ming¹

1. Microelectronics Institute, Xidian University, Xi'an 710071, China;
2. Microwave Laboratory, Northwestern Polytechnical University, Xi'an 710072, China

Received:2002-05-31 Revised:2002-10-14 Online:2003-09-25 Published:2003-09-25

摘要/Abstract

摘要： 分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.

关键词: 碳化硅, 金属半导体场效应晶体管, 表面态, 钝化

Abstract: An analytical non-linear model including surface-state effect is proposed for 4H-SiC power MESFET's with which the impact of suface damage at the ungate recess region caused by the dry-etching process on the output steady-state characterization can be illustrated clearly.The model has the advantage in very simple calculations over the 2D numerical simulations, therefore suitable for process analysis of SiC power MESFET's.

Key words: silicon carbide, MESFET, surface-state, passivation

中图分类号:

O472.1

杨林安, 张义门, 于春利, 杨永民, 张玉明. 表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响[J]. 计算物理, 2003, 20(5): 418-422.

YANG Lin-an, ZHANG Yi-men, YU Chun-li, YANG Yong-min, ZHANG Yu-ming. Surface-state Effects on Silicon Carbide Power MESFET's[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2003, 20(5): 418-422.

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