高能质子单粒子翻转效应的模拟计算

计算物理 ›› 2002, Vol. 19 ›› Issue (4): 367-371.

高能质子单粒子翻转效应的模拟计算

贺朝会, 陈晓华, 李国政

西北核技术研究所, 陕西西安 710024

收稿日期:2001-01-02 修回日期:2001-04-23 出版日期:2002-07-25 发布日期:2002-07-25
作者简介:贺朝会(1966-),男,陕西武功,副研,博士,主要从事半导体器件的核辐射效应方面的研究,西安69信箱13分箱710024.

SIMULATION CALCULATION OF SINGLE EVENT UPSET EFFECTS FOR HIGH ENERGY PROTONS

HE Chao-hui, CHEN Xiao-hua, LI Guo-zheng

Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi'an 710024, China

Received:2001-01-02 Revised:2001-04-23 Online:2002-07-25 Published:2002-07-25

摘要/Abstract

摘要： 在分析质子与硅反应的基础上,提出质子单粒子翻转截面理论计算模型,建立了模拟计算方法.计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量.指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量,产生电荷,导致单粒子效应,得到了单粒子翻转截面与质子能量以及随临界电荷变化的关系.并将计算得到的单粒子翻转截面与实验数据进行了比较.

关键词: 质子, 单粒子翻转, Monte Carlo模拟

Abstract: A model and a simulating method for calculating the proton Single Event Upset (SEU) cross section are presented by the analysis of proton reactions in silicon. The energies deposited by protons of various energies are calculated in sensitive volume in memory cell. It is pro posed that high energy proton SEU is greatly attributed to the recoils (heavy ions), produced by proton reactions in silicon, which deposit ener gy and induce charge in sensitive volume. The relations of the SEU cross section vs. proton energy and critical charge have been obtained. The calculation results are in agreement with the experimental data.

Key words: proton, single event upset, Monte Carlo simulation

中图分类号:

贺朝会, 陈晓华, 李国政. 高能质子单粒子翻转效应的模拟计算[J]. 计算物理, 2002, 19(4): 367-371.

HE Chao-hui, CHEN Xiao-hua, LI Guo-zheng. SIMULATION CALCULATION OF SINGLE EVENT UPSET EFFECTS FOR HIGH ENERGY PROTONS[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2002, 19(4): 367-371.

[1]	李雪梅, 王玉华. 等离子体二维密度重建的影响因素[J]. 计算物理, 2018, 35(2): 187-193.
[2]	龙光波, 郑永刚, 欧建文, 王兴华, 黄霞, 王艳芳. 逆Compton散射的MonteCarlo模拟[J]. 计算物理, 2016, 33(2): 136-146.
[3]	刘训良, 楼国锋, 温治. 直流道PEMFC两相流数学模型[J]. 计算物理, 2012, 29(6): 815-822.
[4]	李雪梅, 沈百飞, 张晓梅, 王志文, 何燕和. 高能质子束探测稠密不均匀氘氚等离子体密度的SIRT算法[J]. 计算物理, 2011, 28(1): 75-80.
[5]	胡泽华, 孙伟力, 王佳, 张本爱. 半微观质子光学势[J]. 计算物理, 2010, 27(5): 745-751.
[6]	周璇, 张志东. 基于修正的Gruhn-Hess两体势模型研究弯曲形变向列相液晶盒[J]. 计算物理, 2010, 27(4): 598-602.
[7]	许晓军, 王凤飞. 不同温度下团簇生长的Monte Carlo模拟[J]. 计算物理, 2009, 26(5): 758-762.
[8]	寻之朋, 唐刚, 韩奎, 夏辉, 郝大鹏, 周伟, 杨细全. 1+1维Wolf-Villain模型奇异标度行为的数值模拟[J]. 计算物理, 2009, 26(2): 287-292.
[9]	蔡淑惠, 陈巧龙, 蔡聪波. 具有表面弛豫的液体自扩散的Monte Carlo模拟[J]. 计算物理, 2009, 26(1): 42-48.
[10]	刘艳辉, 胡林. DNA微环拓扑性质的Monte Carlo模拟[J]. 计算物理, 2009, 26(1): 152-158.
[11]	张连珠, 于富强, 孔令宜, 何琪. 等离子体金属表面氮化中放电温度对氮原子态粒子的影响[J]. 计算物理, 2004, 21(2): 173-178.
[12]	郭红霞, 陈雨生, 周辉, 贺朝会, 耿斌, 李永宏. 重离子微束单粒子翻转与单粒子烧毁效应数值模拟[J]. 计算物理, 2003, 20(5): 434-438.
[13]	郁庆长. 质子直线加速器超导腔速度接收特性研究[J]. 计算物理, 2003, 20(4): 331-334.
[14]	邓辉球, 胡望宇, 舒小林. 二元合金表面偏析的Monte Carlo方法模拟[J]. 计算物理, 2003, 20(2): 137-141.
[15]	李之杰, 王泽辉, 川村孝一, 山村泰道. 采用壳层效应屏蔽长度Monte Carlo方法计算溅射产额[J]. 计算物理, 2002, 19(4): 290-292.