Be等电子序列的奇宇称(J=2)的高激发态结构

计算物理 ›› 1999, Vol. 16 ›› Issue (1): 84-88.

Be等电子序列的奇宇称(J=2)的高激发态结构

赵翠兰¹, 王治文²

1. 内蒙古民族师范学院, 通辽 028043;
2. 吉林大学原子与分子物理所, 长春 130021

收稿日期:1997-09-18 修回日期:1998-04-14 出版日期:1999-01-25 发布日期:1999-01-25
作者简介:赵翠兰,女,36,讲师,硕士

Highly excited state structure of beryllium isoelectronic sequence with j=2 and odd parity

Zhao Cuilan¹, Wang Zhiwen²

1. Inner Mongolia National Teacher's College, Tongliao, 028043;
2. Institute of Atomic and Mollecular Physics, Jilin University, Changchun 130021

Received:1997-09-18 Revised:1998-04-14 Online:1999-01-25 Published:1999-01-25

摘要/Abstract

摘要： 应用本征通道量子亏损理论(EQDT),研究BeⅠ等电子序列(奇宇称,J=2)的高激发态结构,得到了表征高激发态结构的EQDT参量(U_iα,μ_α),以这些参量作为输入,获得了2snp、2pns、2snf、2pnd组态的Rydberg能级位置及通道混合系数。讨论了高激发态沿该等电子序列的变化规律。

关键词: Be等电子序列, 高激发态结构, 本征通道量子亏损理论

Abstract: This paper caculated the highly excited states with J=2 and odd parity of the beryllium isoelectronic sequence by using the eigenchannel quantum defect theory (EQDT).It obtained the EQDT parameters U_iα and μ_α,of Be like systems from BeⅠ to OⅤ,as functions of effective nuclear charge.These results indicate that the differences between eigenquantum defects of different channels,which characterize the channel interactions,gradually diminish along this sequence.This isoelectronic behaviour is caused by the competition between electronic and spin orbit interaction along the evaluated with EQDT parameters as input.As a numerical example,the Lu Fano plots of BeⅠ is given as wall.

Key words: beryllium isoelectronic sequence, highly excited state, eigenchannel quantum defect theory

中图分类号:

O562.1

赵翠兰, 王治文. Be等电子序列的奇宇称(J=2)的高激发态结构[J]. 计算物理, 1999, 16(1): 84-88.

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