三元合金异质结(AlP)x(Si2)1-x/GaP和(GaP)x(Si2)1-x/GaP的价带带阶

计算物理 ›› 1997, Vol. 14 ›› Issue (S1): 542-544.

三元合金异质结(AlP)_x(Si₂)_1-x/GaP和(GaP)_x(Si₂)_1-x/GaP的价带带阶

蔡淑惠, 郑金成, 王仁智, 郑永梅

厦门大学物理学系, 361005

收稿日期:1997-02-24 修回日期:1997-05-04 出版日期:1997-12-25 发布日期:1997-12-25
基金资助:
国家和福建省自然科学基金资助项目

VALENCE-BAND OFFSETS OF TERNARY ALLOY HETEROJUNCTIONS (AlP)_x(Si₂)_1-x/GaP AND (GaP)_x(Si₂)_1-x/GaP

Cai Shuhui, Zheng Jincheng, Wang Renzhi, Zheng Yongmei

Department of Physics, Xiamen University, 361005

Received:1997-02-24 Revised:1997-05-04 Online:1997-12-25 Published:1997-12-25

摘要/Abstract

摘要： 采用基于LMTO-ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了两组晶格匹配三元合金异质结(AlP)_x(Si₂)_1-x/GaP和(GaP)_x(Si₂)_1-x/GaP的价带带阶ΔE_v(x)值。研究表明,两组异质结的ΔE_v(x)值随合金组分x的变化都是非线性的,且表现出非单调的关系。

关键词: 半导体异质结, 价带带阶, 平均键能

Abstract: The valence band offsets ΔE_v(x) as a function of the alloy compositon x of two typical lattice matched ternary alloy heterojunctions (AlP)_x(Si₂)_1-x/GaP and (GaP)_x(Si₂)_1-x/GaP are studied by using the average bond energy theory in conjunction with the cluster expansion method.It is shown that the variations of ΔE_v(x) at (AlP)_x(Si₂)_1-x/GaP and (GaP)_x(Si₂)_1-x/GaP are nonlinear and non monotonous.The calculated results of ΔE_v are in very good agreement with the data previously reported.

Key words: heterojunction, valence band offsets, average bond-energy

中图分类号:

O471

蔡淑惠, 郑金成, 王仁智, 郑永梅. 三元合金异质结(AlP)_x(Si₂)_1-x/GaP和(GaP)_x(Si₂)_1-x/GaP的价带带阶[J]. 计算物理, 1997, 14(S1): 542-544.

Cai Shuhui, Zheng Jincheng, Wang Renzhi, Zheng Yongmei. VALENCE-BAND OFFSETS OF TERNARY ALLOY HETEROJUNCTIONS (AlP)_x(Si₂)_1-x/GaP AND (GaP)_x(Si₂)_1-x/GaP[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 1997, 14(S1): 542-544.

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三元合金异质结(AlP)_x(Si₂)_1-x/GaP和(GaP)_x(Si₂)_1-x/GaP的价带带阶

VALENCE-BAND OFFSETS OF TERNARY ALLOY HETEROJUNCTIONS (AlP)_x(Si₂)_1-x/GaP AND (GaP)_x(Si₂)_1-x/GaP

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