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Bi掺杂ZnO光电性能的第一性原理研究
陈春天, 丛珊, 陈鸿菲, 王磊, 李凯
计算物理    2018, 35 (6): 720-728.   DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7747
摘要454)   HTML1)    PDF (3891KB)(1669)   
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,利用Material studio程序包中的Castep模块计算研究不同浓度Bi原子掺杂对ZnO电子结构和光学性能的影响.研究表明:不同Bi原子数的掺杂,对ZnO禁带宽度影响的变化趋势不一致.Bi掺杂ZnO的介电函数虚部峰值变大,并向低能量方向红移;高能量区域的吸收峰、反射峰和能量损耗峰随着掺杂原子的增多逐渐减小,透光性增强.掺杂样品在可见光和紫外光的吸收系数和反射系数均显著提高,可促进ZnO材料对可见光的有效利用.
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