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单轴[110]应力硅电子迁移率

马建立, 付志粉, 李洋, 唐旭东, 张鹤鸣

计算物理 2017, 34 (4): 483-488.

摘要（631）

HTML （2）

PDF （1711KB）（1405）

基于k·p微扰法研究单轴[110]应力作用下硅的导带结构，获得单轴[110]应力硅的导带底能量及电子有效质量.在此基础上，考虑电子谷间、谷内及电离杂质散射，采用弛豫时间近似计算单轴[110]应力硅沿不同晶向的电子迁移率.结果表明：单轴[110]应力作用下硅的电子迁移率具有明显的各向异性.在[001]、[110]及[110]输运晶向中，张应力作用下电子沿[110]晶向输运时迁移率有较大的增强，由未受应力时的1 450 cm²·Vs^-1提高到2 GPa应力作用下的2 500 cm²·Vs^-1.迁移率增强的主要原因是电子有效质量的减小，而应力作用下硅导带能谷分裂导致的谷间散射几率的减小对电子迁移率的影响并不显著.

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C₃₆团簇生长动力学及自由能

高娟, 圣宗强, 孟影, 付志粉

计算物理 2014, 31 (2): 247-252.

摘要（440）

PDF （1733KB）（1111）

在2300 K的气相条件下,采用经典分子动力学方法对C₃₆团簇的生长过程进行模拟,并计算生长过程中出现的势能最低的20个异构体的相对概率.计算结果表明:团簇系统在100 ns左右达到动态平衡,出现概率最大的异构体是_2d而不是势能最低的D_6h.对于某些势能和自由能均较高的碗状异构体,在生长过程中以一定概率出现,其出现概率甚至高于某些经典构型.

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