通过磁控忆阻器的感应电流模拟电磁辐射, 研究电磁辐射效应下Newman-Watts(NW)小世界的正切型忆阻耦合Hindmarsh-Rose(HR)神经网络动力学行为。数值仿真发现: 增大耦合强度会促进神经元之间的同步和改变神经元的放电模式; 当电磁辐射效应作用时, 神经网络对初始值敏感, 同时通过哈密顿能量发现, 电磁辐射会增强神经元放电所需能量。当忆阻耦合与电磁辐射效应共同作用时, 电磁辐射强度越小, 忆阻耦合更能有效地促进网络同步。实验结果表明: 在电磁辐射效应下的正切型忆阻耦合神经网络对初始值状态敏感, 神经网络的同步行为和放电活动与耦合强度、电磁辐射有关。
