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单轴应变对氮化铟电子结构及光学性质的影响
温淑敏, 姚世伟, 赵春旺, 王细军, 侯清玉
计算物理
2017, 34 (6):
722-730.
DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7557
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，计算单轴应变下闪锌矿氮化铟的电子结构及光学性质.结果表明：施加应变会使带隙变窄.对于拉应变，随着应变增大带隙减小程度增大；对于压应变，随应变增大带隙减小程度减弱；且拉、压应变对带隙调控都是线性的.在能量区间4 eV~12 eV范围内施加应变时，氮化铟的吸收光谱发生红移，随拉应变程度增加，吸收光谱的红移进一步加大；随压应变增加，吸收光谱红移减弱；在该范围内，氮化铟的折射率、反射率随拉应变的增大而增加，随压应变增加减小；施加拉应变时能量损失函数峰值增大，施加压应变后能量损失函数峰值减小.通过施加单轴应变能有效调节氮化铟材料的电结构及光学性质.
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