用分子动力学的方法模拟研究了低能C₂₀与Si(100)-(2×1)重构表面的相互作用过程。将描述C、Si结构的Tersoff势和描述原子间短程排斥的KrC势相结合,建立了一个混合势作为原子间的相互作用模型。荷能C₂₀垂直轰击到Si(100)-(2×1)表面后,由于在<110>方向受到非对称力场的作用而产生横向的集体运动,改变的入射能量导致C₂₀与Si(100)-(2×1)表面最接近的垂直距离不同,从而受到不同的横向力场的作用而产生不同的表面运动特性。C₂₀能量耗尽后稳定吸附在Si(100)-(2×1)表面,且只有两个稳定吸附位置,即二聚体(dimer)和"峡谷"(trough)位,这两个吸附位置的存在可用C₂₀与Si(100)-(2×1)表面之间非对称的表面力场分布来定性解释。最终C₂₀与Si(100)-(2×1)表面有强烈的化学键形成。模拟结果与STM的实验观察结果进行了比较