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含色心BaMgF₄晶体电子结构的研究

康玲玲, 刘廷禹, 张启仁, 徐灵芝

计算物理 2011, 28 (3): 451-455.

摘要（287）

PDF （306KB）（1216）

运用相对论性的密度泛函离散变分法(DV-X_α)研究BaMgF₄晶体中F型色心的电子结构.计算中采用冻结原子核的H原子模拟F心,在DV-X_α源程序增加H原子2p态,使F心激发态的计算结果在物理上更加合理.计算结果表明,F心的基态和激发态均出现在禁带中;并用过渡态的方法计算得到F心的电子从基态到激发态的光学跃迁能量为5.12 eV,对应242 nm处的吸收带,计算结果与实验结果吻合得很好,因此,推测F心在BaMgF₄晶体中引起236~274 nm的吸收.

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钼酸铅晶体中F型色心电子结构的理论计算

陈建玉, 张启仁, 刘廷禹, 邵泽旭, 濮春英

计算物理 2008, 25 (2): 213-217.

摘要（264）

PDF （288KB）（1304）

运用相对论性的密度泛函离散变分(DV-Xα)方法模拟计算PbMoO₄晶体中可能存在的F型色心的电子结构.结果表明,F,F⁺心在PbMoO₄晶体的禁带中引入了施主能级,其光学跃迁能分别是2.141,2.186 eV,即F,F⁺心能分别引起PMO晶体中581,567 nm的吸收,该吸收与PbMoO₄晶体中580 nm的吸收峰对应.因此,可推断F型色心能引起PMO晶体中由光色效应引起的580 nm吸收.

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