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半导体器件蒙特卡罗模拟中保持电荷守恒的统计增强方法

杜刚, 刘晓彦, 孙雷, 韩汝琦

计算物理 2001, 18 (6): 497-500.

摘要（421）

PDF （157KB）（1103）

介绍了一种在半导体器件蒙特卡罗模拟中保持电荷守恒的统计增强方法,该方法消除了由统计增强引入的电荷统计涨落,保持了不同增强区界面处过界粒子流的连续性.以肖特基势垒二极管为例,应用该方法,实现了高接触势垒情形下的正反向电流模拟.