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第一性原理计算Cu-Cr共掺AlN稀磁半导体
王静, 樊聪, 邓军权, 毋志民, 刘畅, 范凤, 胡爱元, 崔玉亭
计算物理    2016, 33 (1): 99-107.  
摘要493)   HTML0)    PDF (1282KB)(1747)   
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度(GGA)近似对Cr单掺AlN和Cu-Cr共掺AlN的32原子超原胞体系进行几何结构优化,计算它们的晶格常数,能带结构,电子态密度以及光学性质.结果表明Cr单掺AlN和Cu-Cr共掺AlN均表现为半金属性质,带隙变窄,且Cu-Cr共掺体系自旋极化作用较Cr单掺强,材料表现出良好的铁磁性.共掺杂后,光吸收的范围增宽,体系对长波吸收加强,能量损失明显减小.
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BaTi2Bi2O的电子结构与磁性
王广涛, 张琳, 张会平, 刘畅
计算物理    2015, 32 (1): 107-114.  
摘要425)      PDF (4250KB)(1054)   
采用第一性原理方法,对BaTi2Bi2O的电子结构和磁性进行计算.非磁性态的计算结果显示:费米能级处的态密度主要来自dz2,dx2-y2dxy三个轨道,同时费米面也主要有三部分组成,并且将其沿着矢量q1=(π/a,0,0)和q2=(0,π/a,0)平移时,第三部分费米面(沿着X-R连线)与第一部分费米面(M-A连线)嵌套明显,计算得出磁化系数χ0(q)在X点出现峰值,与峰值出现在M点的FeAs基超导体不同.上述磁化率峰值可以诱导产生自旋密度波,使得BaTi2Bi2O材料的磁性基态是bi-collinear antiferromagnetism(AF3)与blocked checkerboard antiferromagnetism(AF4)的二度简并态.随着空穴掺杂,χ0(q)的峰值降低,而电子掺杂则导致峰值变大.当自旋涨落被完全压制时,超导出现,这可以解释为什么超导只出现在空穴掺杂型化合物而非电子掺杂型.
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