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芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列
吴言, 刘思琪, 李胜强
计算物理    2019, 36 (4): 483-490.   DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7880
摘要298)   HTML0)    PDF (6571KB)(1339)   
提出一种利用三根载荷金属杆来实现在芯片表面陷俘冷极性分子的静电阱.给出空间静电场等高线分布.通过调节电极电压操控阱中心距离芯片表面的高度.用经典的蒙特卡罗方法模拟冷分子被装载和囚禁的动力学过程.方案对中心速度为11 m·s-1的冷分子束,最大装载效率可以达到40%,阱中分子的温度大约为25 mK.方案可以进一步微型化、集成化,形成一维和二维静电微阱阵列,在量子计算、低维物理等方面有应用价值.
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液态氧化铝结构的分子动力学模拟
吴言宁, 王丽萍, 朱义强, 黄银生, 王戴木
计算物理    2011, 28 (2): 289-294.  
摘要333)      PDF (587KB)(1342)   
利用分子动力学模拟液态氧化铝从2663 K到过冷温度2223 K的结构变化,通过总双体分布函数得到的液态氧化铝的原子第一、第二近邻距离与Ansell研究小组的实验结果基本一致.通过配位数和偏角分布函数的分析,液态氧化铝的局域结构主要是由氧的三重铝原子配位和铝原子四重(AlO4)和五重(AlO5)氧原子配位组成.没有观察到可能因铝原子高、低配位数氧原子的团簇分离而出现的液-液相变.
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