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Ge/Pb/Si(111)生长中Ge原子沿团簇边缘扩散的三维Monte-Carlo模拟

吴黎黎, 吴锋民

计算物理 2013, 30 (3): 441-446.

摘要（287）

PDF （1776KB）（1120）

用动态Monte-Carlo方法对Ge在单层表面活性剂Pb覆盖的Si(111)表面上沿团簇边缘扩散进行三维模拟.重点讨论Ge原子是否沿团簇边缘扩散,沿边缘扩散时的最大扩散步数及最近邻原子数对三维生长的影响,并计算薄膜表面粗糙度研究三维生长模式.模拟表明Ge沿团簇边缘扩散的行为对薄膜生长模式的影响很大,同时讨论了ES势对三维生长模式的影响.

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稳恒磁场下金属电沉积枝晶生长的模拟

吴黎黎, 陆杭军, 吴锋民

计算物理 2006, 23 (4): 499-504.

摘要（276）

PDF （433KB）（1076）

采用Monte-Carlo模拟方法,给出用于描述稳恒磁场作用下电沉积枝晶生长的模型.该模型综合考虑了外加磁场B,电解溶液浓度和离子在阴极发生还原反应的几率P_s等因素对电沉积过程的影响,模拟得到与实验结果一致的枝晶生长图形.模拟结果表明:团簇的形状和它们的分形维数都与外加磁场B的强弱,即体现在模型中离子的旋转角速度ω的大小有关;随着磁场强度的增加,沉积团簇会从分形向非分形转变;在相对强的外加磁场作用下,较高离子浓度时的沉积物是非分形的;离子在阴极的反应概率P_s越小,随着磁场强度的增加枝晶生长越易趋向非分形.

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延时反馈控制Van der Pol振子的混沌

吴锋民, 施建青, 李巧文

计算物理 1997, 14 (S1): 692-962.

摘要（216）

PDF （61KB）（932）

VanderPol振子是力学、物理学和电子学中著名的数学模型,已有不少工作表明VanderPol振子在一定的条件下会出现混沌行为。在实际的工程问题中,混沌振动常会导致动力系统的不规则运作、机械系统的疲劳断裂以及电路系统的反常噪声,故这种混沌行为往往应设法避免。在此用德国学者K.Pyrages提出的延时连续反馈控制方法,通过计算机模拟,对VanderPol振子的混沌行为进行控制,结果表明,只要选择合适的延迟时间τ及控制信号幅值K,可以有效地抑制系统的混沌运动而得到稳定周期(或准周期)振动结果。

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一维凝聚生长的计算机模拟

吴锋民, 朱启鹏, 吴自勤

计算物理 1997, 14 (S1): 475-476.

摘要（241）

PDF （115KB）（971）

在一维随机成核生长(RSNG)模型的基础上,考虑粒子的扩散和粒子数密度的影响,在最近邻及次近邻条件下模拟得到一些聚集生长的图形,并分析了其分形特征。

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