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功率GaAs MESFET小信号模型参数的提取
吴龙胜, 刘佑宝
计算物理
2002, 19 (2):
127-131.
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法,求解MESFET小信号等效电路模型,并采用相对误差来构建目标函数.以FET在零偏置状态的非本征元件值作为初值,通过优化求得了热FET状态的本征元件值,S参数的计算值与实验值吻合得很好,S11的相对误差为009%,S12为1.1%,S21为0.08%,S22为2.26%.该方法收敛快,精度高并且效率高,便于移植到微波器件CAD设计和模拟软件中.
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多维度评价
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