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自洽LMTO方法计算半导体αSn、CdTe的电子结构

韩汝珊, 弗里曼

计算物理 1984, 1 (2): 187-199.

摘要（237）

PDF （752KB）（1003）

本文将自洽LMTO能带方法应用到半导体开结构情况,如αSn(金刚石结构)、CdTe(闪锌矿结构)。我们采用了空球模型,每个球有一个球对称势,并使用优选法确定出原子球及空球半径的尺寸,计算了它们的能带结构,给出的数据与实验结果能较好地符合。它预示出局域密度泛函能带方法应用到开结构材料的前景。