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双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真

张倩, 张玉明, 张义门

计算物理 2010, 27 (5): 771-778.

摘要（265）

PDF （299KB）（1046）

基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表明,该器件的共发射结电流增益最高可达72,具有负温度系数,并且在一个很宽的集电极电流范围内该特性保持不变.

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基于改进的压缩式随机游走算法对静态电源/地网的模拟

苏浩航, 张义门, 张玉明, 解敏, 满进财

计算物理 2007, 24 (6): 673-676.

摘要（260）

PDF （164KB）（1212）

将随机游走法和等效电路压缩相结合,对静态P/G网(Power and Ground Networks)进行分析.针对一个大规模的电路,在经过多层的参数提取和建模后,得到静态P/G网模型.首先根据网络的规律性,运用等效电路压缩法将原始的P/G网进行压缩处理,然后运用随机游走法求解,最后利用计算得到的化简网络电压值,通过相关的插值公式得到原网络的电压值.实验数据表明,改进的压缩式随机游走法可有效简化网络的复杂性,节省计算时间,计算速度提高到普通随机游走法的两个数量级以上.

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功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性

王源, 张义门, 张玉明

计算物理 2003, 20 (5): 467-470.

摘要（349）

PDF （169KB）（1072）

提出了一种功率AlGaAs/GaAs HBT的自加热温度模型,讨论了在大电流条件下,器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响,并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在自加热条件下的变化分别进行了计算和模拟.

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表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响

杨林安, 张义门, 于春利, 杨永民, 张玉明

计算物理 2003, 20 (5): 418-422.

摘要（296）

PDF （288KB）（1190）

分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.

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MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用

郭红霞, 陈雨生, 周辉, 张义门, 龚仁喜, 吕红亮

计算物理 2003, 20 (4): 372-376.

摘要（242）

PDF （251KB）（1288）

简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将模拟结果与实验数据进行了比较.

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