检索结果

期刊

出版年

关键词

Please wait a minute...

选择:

导出引用
EndNote Ris BibTeX

显示/隐藏图片

Select

双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真

张倩, 张玉明, 张义门

计算物理 2010, 27 (5): 771-778.

摘要（265）

PDF （299KB）（1048）

基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表明,该器件的共发射结电流增益最高可达72,具有负温度系数,并且在一个很宽的集电极电流范围内该特性保持不变.

作者中心

审稿中心

期刊浏览

期刊介绍