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电流驱动凹槽磁纳米带内斯格明子的移动特性
张光富, 张赛文, 邓杨保, 熊翠秀, 谭伟石
计算物理 2021, 38 (
2
): 199-205. DOI:
10.19596/j.cnki.1001-246x.8234
摘要
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249
）
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（
7
）
PDF
（3843KB）（
887
）
可视化
基于微磁学理论和模拟研究电流驱动的斯格明子的移动特性。相对于纳米带，凹槽纳米带可提供更大的边缘排斥力抑制斯格明子横向移动，最大驱动电流（
J
max
）和最大斯格明子移动速度（
V
max
）显著增加。随着注入电流密度的增加，凹槽纳米带内斯格明子移动速度先增加到最大速度，而后减小或保持不变。通过增加边缘宽度或厚度，
J
max
和
V
max
线性增加。研究凹槽纳米带边缘厚度与宽度对斯格明子移动的调制规律，并基于微磁学理论对其进行解释。为基于纳米带结构的自旋电子器件的开发提供理论依据。
参考文献
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末端形状对NiFe纳米薄膜磁反转动力学特性的影响
张光富, 邓杨保, 田野, 蒋练军
计算物理 2018, 35 (
3
): 373-378. DOI:
10.19596/j.cnki.1001-246x.7655
摘要
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325
）
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0
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PDF
（9316KB）（
1115
）
可视化
基于微磁学模拟方法研究末端形状对NiFe纳米薄膜的磁反转和自旋波本征动力学特性的调制及磁反转与自旋波模式软化间的内在联系.纳米薄膜微磁结构的相变总是伴随着某种自旋波模式的软化，软化自旋波模式空间分布预示微磁结构相变的路径.存在一临界裁剪度（
h
0
）.当裁剪度
h
<
h
0
时，磁振荡局域于末端边缘的EM自旋波软化诱导磁反转从磁体末端边缘磁矩失稳开始，边缘失稳区域向中央扩展形成反转畴，最后反转畴逐渐移出膜面外而实现反转.当
h
≥
h
0
时，形状各向异性导致边缘局域化模式自旋波被抑制，反转场附近一致模式自旋波的软化诱导磁体一致反转.
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