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C掺杂Mn3Ge的电子结构和磁性
张雪颖, 冯琳
计算物理
2019, 36 (6):
742-748.
DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7968
采用第一性原理计算方法研究C掺杂对Mn3Ge的影响.对Mn3-xGeCx的晶体结构进行几何优化，发现C原子最稳定的掺杂位置在正八面体的中心位置.研究其电子结构和总磁矩随C掺杂量的变化，发现总磁矩随着C浓度的增加先减小后增大，其中Mn3GeC0.4总磁矩接近零，可以实现完全的磁性补偿.研究Mn3GeC0.4多层膜的磁性，给出总磁矩接近零的Mn3GeC0.4多层膜结构，为Mn3Ge的实际应用提供参考.
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