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高能质子单粒子翻转效应的模拟计算

贺朝会, 陈晓华, 李国政

计算物理 2002, 19 (4): 367-371.

摘要（280）

PDF （324KB）（1226）

在分析质子与硅反应的基础上,提出质子单粒子翻转截面理论计算模型,建立了模拟计算方法.计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量.指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量,产生电荷,导致单粒子效应,得到了单粒子翻转截面与质子能量以及随临界电荷变化的关系.并将计算得到的单粒子翻转截面与实验数据进行了比较.

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中子引起的单粒子反转截面的Monte Carlo模拟计算

李华, 牛胜利, 李原春, 李国政

计算物理 1997, 14 (3): 333-339.

摘要（412）

PDF （281KB）（1242）

单粒子效应是带电粒子在电子元器件中通过时,造成电子元器件的电离损伤,导致电子元器件的记录出错。考虑了10-20MeV中子与硅反应的主要反应道,利用Monte Carlo方法对中子射入硅器件中引起的单粒子反转进行模拟,得到质子、α粒子的能量、角度分布。考虑带电粒子在硅片中引起的电离损伤,对不同临界电荷,计算了在16K动态RAM硅片中有一个灵敏单元发生反转时,中子入射注量及相应的单粒子反转截面。给出了反转截面与灵敏单元不同长宽比值和不同入射中子能量值的关系。

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