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单轴[110]应力硅电子迁移率
马建立, 付志粉, 李洋, 唐旭东, 张鹤鸣
计算物理 2017, 34 (
4
): 483-488.
摘要
（
631
）
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2
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（1711KB）（
1405
）
可视化
基于
k·p
微扰法研究单轴[110]应力作用下硅的导带结构，获得单轴[110]应力硅的导带底能量及电子有效质量.在此基础上，考虑电子谷间、谷内及电离杂质散射，采用弛豫时间近似计算单轴[110]应力硅沿不同晶向的电子迁移率.结果表明：单轴[110]应力作用下硅的电子迁移率具有明显的各向异性.在[001]、[110]及[1
1
0]输运晶向中，张应力作用下电子沿[110]晶向输运时迁移率有较大的增强，由未受应力时的1 450 cm
2
·Vs
-1
提高到2 GPa应力作用下的2 500 cm
2
·Vs
-1
.迁移率增强的主要原因是电子有效质量的减小，而应力作用下硅导带能谷分裂导致的谷间散射几率的减小对电子迁移率的影响并不显著.
参考文献
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多维度评价
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低超声速飞行器瞬态热状况解耦算法
李振环, 孙海锋, 夏新林, 李洋
计算物理 2016, 33 (
6
): 681-690.
摘要
（
513
）
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（4122KB）（
1361
）
可视化
针对低超声速飞行器非稳态飞行条件下内外流固耦合一体化计算的复杂性，将飞行器外部流场的实时气动热转化为浮动的第三类边界条件进行解耦.以加速俯冲的超声速三维头锥体为例，分别采用浮动温差法和辐射平衡法提取表面对流换热系数进行解耦计算，并与直接耦合计算结果进行比较，验证两种解耦算法的可靠性.结果表明，将非稳态飞行过程离散为不同飞行状态点，通过提取对流换热系数解耦计算得到的不同状态点的锥体表面温度分布与直接耦合计算得到的结果吻合较好.两种解耦算法在计算效率方面均要优于耦合计算方法；在外界气动环境发生剧烈变化的过程中，最大相对误差均不超过2%.
参考文献
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