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应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响
温淑敏, 姚世伟, 赵春旺, 王细军, 李继军
计算物理
2020, 37 (1):
119-126.
DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7972
使用第一性原理密度泛函理论（DFT）框架下的广义梯度近似（GGA+U）方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明：带隙随应变的增加而减小，压应变在（-1%~-3%）范围内变化时带隙变化不明显，压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明，应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响，静态介电常数随应变的增大而增大；应变使GaN的吸收系数减小.
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