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表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响
杨林安, 张义门, 于春利, 杨永民, 张玉明
计算物理 2003, 20 (
5
): 418-422.
摘要
（
296
）
PDF
（288KB）（
1190
）
可视化
分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.
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