检索结果

期刊

出版年

关键词

Please wait a minute...

选择:

导出引用
EndNote Ris BibTeX

显示/隐藏图片

Select

PCCSAP-3D程序压力场算法改进

张尧立, 杨燕宁, 周志伟, 王岩

计算物理 2012, 29 (5): 700-706.

摘要（263）

PDF （2615KB）（1017）

介绍大型先进压水堆安全壳专用分析程序PCCSAP-3D计算采用的方法,引入GMRES(Generalized Minimal RESidual)方法改进该程序的压力场算法.使用GMRES算法的实用变形,并采用合适的预处理技术,比较GMRES算法和ML-ADI算法在求解压力方程时的收敛速度.结果表明,利用压力矩阵结构化和稀疏性的特点,采用预处理GMRES算法能够更快速地求解压力方程.当压力矩阵规模变大时,GMRES算法相对于ML-ADI方法能够节省更多的时间.

相关文章 | 多维度评价

Select

使用界面追踪对膜态沸腾的数值研究

袁明豪, 杨燕华, 李天舒, 胡志华

计算物理 2008, 25 (5): 576-584.

摘要（244）

PDF （468KB）（1025）

提出一种计算带相变的自由界面的数值算法.基于分段线性界面重构(PLIC)的VOF(volume-of-fluid)方法用于追踪自由界面,并对汽液交界面上的相变导致的不连续速度场给出处理方法.此方法容易实施且被证明是有效的.流场的求解使用SIMPLE方法,表面张力使用连续表面力模型(CSF)进行计算.在三维直角坐标系下,模拟了水平壁面上的膜态沸腾,在二维适体坐标系下,模拟了竖直圆头柱体表面的自然对流膜态沸腾.计算结果与理论关系式符合较好.

相关文章 | 多维度评价

Select

SiC电子霍耳迁移率的计算

王平, 杨银堂, 杨燕

计算物理 2006, 23 (1): 80-86.

摘要（309）

PDF （282KB）（10911）

基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值有很好的一致性.

相关文章 | 多维度评价

Select

SiC电子输运特性的Monte Carlo数值模拟

王平, 杨银堂, 屈汉章, 杨燕, 李跃进, 贾护军

计算物理 2005, 22 (3): 245-250.

摘要（268）

PDF （362KB）（1143）

利用系综MonteCarlo法研究了2H ,4H和6HSiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型电子迁移率同温度的关系,并以4H SiC为例,重点分析了中性杂质散射的影响.最后对高场下电子漂移速度的稳态和瞬态变化规律进行了研究.将模拟结果同已有的实验数据进行了比较,发现当阶跃电场强度为10×106V·cm-1时,4H Sic电子横向瞬态速度峰值接近33×107cm·s^-1,6H Sic接近30×107cm·s^-1.

相关文章 | 多维度评价

作者中心

审稿中心

期刊浏览

期刊介绍