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Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算

王仁智, 郑永梅, 柯三黄, 黄美纯, 朱梓忠

计算物理 1996, 13 (2): 136-140.

摘要（306）

PDF （372KB）（930）

在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的ΔE_v值理论计算方法,该方法在以Si为衬底、以Ge为衬底和自由共度生长等3种不同应变情况的Si/Ge异质结价带偏移ΔE_v值计算中,分别得到0.731eV、0.243eV和0.521eV的计算结果。