导航切换
计算物理
首页
期刊介绍
期刊简介
基本信息
征稿简则
期刊历史
编委会
第七届编委会
历届编委会
作者中心
投稿须知
作者登录
下载中心
修稿通知
最新录用
审稿中心
专家审稿
编委审稿
主编审稿
审稿政策
常见问题
常见问题
联系我们
English
期刊
出版年
关键词
结果中检索
(((武自录[Author]) AND 1[Journal]) AND year[Order])
AND
OR
NOT
文题
作者
作者单位
关键词
摘要
分类号
DOI
Please wait a minute...
选择:
导出引用
EndNote
Ris
BibTeX
显示/隐藏图片
Select
用边界元素法模拟FP-JTE终端结构
武自录, 罗晋生
计算物理 1999, 16 (
2
): 192-198.
摘要
(
249
)
PDF
(284KB)(
1139
)
可视化
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了界面电荷对FP-JTE终端结构击穿电压的影响,结果表明击穿电压几乎与界面电荷浓度呈线性关系,场板可减弱界面电荷对击穿电压的影响。
相关文章
|
多维度评价