期刊
  出版年
  关键词
结果中检索 Open Search
Please wait a minute...
选择: 显示/隐藏图片
用边界元素法模拟FP-JTE终端结构
武自录, 罗晋生
计算物理    1999, 16 (2): 192-198.  
摘要249)      PDF (284KB)(1139)   
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了界面电荷对FP-JTE终端结构击穿电压的影响,结果表明击穿电压几乎与界面电荷浓度呈线性关系,场板可减弱界面电荷对击穿电压的影响。
相关文章 | 多维度评价