期刊
  出版年
  关键词
结果中检索 Open Search
Please wait a minute...
选择: 显示/隐藏图片
导电突扩管中磁流体管流的数值模拟
毛洁, 相凯, 王彦利, 王浩
计算物理    2018, 35 (5): 597-605.   DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7711
摘要436)   HTML7)    PDF (2062KB)(1081)   
采用基于OpenFOAM环境自主开发的低磁雷诺数磁流体求解器,对45°和90°突扩矩形管中液态金属流体在受到垂直流向的外加磁场作用时的速度、感应电流、压力的分布及突扩位置处的MHD三维现象进行数值模拟.结果表明:磁场沿突扩方向时,由于无回流涡,45°比90°突扩管在肩部位置速度分布更优.哈特曼数增大,强射流和突扩结构,在突扩肩部位置引发流动的不稳定性.伴随感应电流的不稳定,流动不稳定发展到突扩位置上游.磁场沿垂直突扩方向时感应电流的三维效应显著.哈特曼数增大,MHD压降显著增大.同方向磁场和相同哈特曼数,不同突扩角度的三维无量纲压力梯度无明显差异.
参考文献 | 相关文章 | 多维度评价
带通道插件管道流磁流体动力学效应的数值模拟
毛洁, 潘华辰, 聂欣
计算物理    2011, 28 (4): 535-539.  
摘要280)      PDF (272KB)(1154)   
采用二维完全发展流模型对聚变反应堆包层带通道插件和压力平衡槽隙的矩形磁流体管流的MHD效应进行数值模拟,分析速度分布,MHD压降随哈德曼数以及通道插件的电导率的变化规律.与无插件磁流体管流相比,带绝缘通道插件管流MHD压降显著降低,MHD压降随哈德曼数的增加而减小,通道插件材料的电导率增加MHD压降系数减小.压力平衡槽隙处的回流与通道插件的电导率有关.在宏观上计算结果与实验结果和简化理论结果一致.
相关文章 | 多维度评价