基于密度泛函理论第一性原理，研究Zn、Nb、O间隙原子对ZnNb2O6体系光电特性的影响。分析显示：间隙原子对体系晶格畸变的影响与间隙原子几何尺寸有关。缺陷结构中，由于间隙原子电负性存在差异，也是产生晶格畸变的因素。光电特性分析显示：含有Zn、Nb间隙原子的体系表现为n型简并半导体。且Nbi表现出较强的介电效应，主要与Nb的离子势与电离能有关。Oi表现为p型简并半导体，对光电效应贡献较小。结果表明Nbi体系有良好的光电特性，在实际应用中具有较大潜力。
