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二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态
熊宗刚, 杜娟, 张现周
计算物理
2019, 36 (6):
733-741.
DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7961
采用第一性原理的计算方法研究GeSe纳米片结构掺杂V和VII族元素对其电子结构、形成能和跃迁能级的影响.结果表明：无论是掺杂V族还是VII族元素，体系的形成能均随杂质半径的增加而增加.V族元素掺杂体系的跃迁能级随杂质原子半径的增加而降低，而VII元素掺杂的体系却随杂质原子半径的增加而增加.其中，F、Cl、Br和I的掺杂为n型施主浅能级杂质，而N、P和As掺杂为p型受体深能级杂质.为相关的实验研究提供了理论参考.
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