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4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算

王平, 杨银堂, 刘增基, 尚韬, 郭立新

计算物理 2011, 28 (1): 145-151.

摘要（372）

PDF （311KB）（1098）

基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信号参数的解析模型.该模型采用场致迁移率、速度饱和近似,并考虑碳化硅中杂质不完全离化效应及漏源串联电阻的影响,栅偏置为0 V时,获得最大跨导约为48 mS·mm^-1.计算结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算较为准确的优点,适于SiC器件以及电路研究使用.

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有限体积元数值方法在大气污染模式中的应用

王平, 张志跃

计算物理 2009, 26 (5): 656-664.

摘要（228）

PDF （388KB）（1223）

运用有限体积元方法分析求解大气污染模型问题,分别选取试探函数空间和检验函数空间为一次元函数空间和分片常数函数空间,并且给出L²估计和H¹估计,通过数值实验与有限差分方法进行分析与比较,说明其有效性.为改善大气污染问题的模拟提供实用有效的方法.

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SiC电子霍耳迁移率的计算

王平, 杨银堂, 杨燕

计算物理 2006, 23 (1): 80-86.

摘要（309）

PDF （282KB）（10911）

基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值有很好的一致性.

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SiC电子输运特性的Monte Carlo数值模拟

王平, 杨银堂, 屈汉章, 杨燕, 李跃进, 贾护军

计算物理 2005, 22 (3): 245-250.

摘要（268）

PDF （362KB）（1143）

利用系综MonteCarlo法研究了2H ,4H和6HSiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型电子迁移率同温度的关系,并以4H SiC为例,重点分析了中性杂质散射的影响.最后对高场下电子漂移速度的稳态和瞬态变化规律进行了研究.将模拟结果同已有的实验数据进行了比较,发现当阶跃电场强度为10×106V·cm-1时,4H Sic电子横向瞬态速度峰值接近33×107cm·s^-1,6H Sic接近30×107cm·s^-1.

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多点择优推进阵面法生成曲面三角形网格

王平, 朱自强, 拓双芬

计算物理 2002, 19 (3): 213-216.

摘要（275）

PDF （280KB）（1186）

在现有曲面非结构网格生成法的基础上,提出了一种新的曲面网格生成法——多点择优推进阵面法.它可在曲面上直接进行三角形网格划分,克服了映射法的网格变形问题,并且可以在网格生成结束后,对曲面网格直接进行Laplace格点松弛光顺.该方法使用简单,不受曲面块类型的限制,且网格质量高,可以为三维非结构网格生成提供高质量的初始阵面,并给出了若干个算例.

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二维非结构自适应多重网格的Euler方程解

王平, 朱自强, 吕晓斌

计算物理 2000, 17 (5): 497-503.

摘要（252）

PDF （193KB）（1219）

将原来在结构网格中提出的AUSM⁺(Advection Upstream Splitting Method)格式,推广应用于二维非结构网格中。利用格林-高斯公式对控制体内的变量进行线性重构,获得空间二阶精度,并采用Barth型限制器以抑制数值解的振荡。为提高计算效率,采用了自适应多重网格法。在生成非结构网格时,采用了一种新颖的数据结构——数组链接表。最后给出了NACA0012翼型和带10%鼓包的管道流动的几个Euler方程的算例,并进行了分析比较。

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用蒙特卡洛方法计算红外光学系统的杂散光

夏新林, 谈和平, 余其铮, 王平阳

计算物理 1997, 14 (S1): 680-681,679.

摘要（207）

PDF （138KB）（1178）

将蒙特卡洛方法应用于红外光学系统的杂散光计算。对光学系统的几何结构和部件物理类型进行了标准化处理,建立了有关概率模型并采用能有效提高计算速度的光线跟踪方法。在此基础上编制了通用的杂散光计算软件并对某型号红外相机的杂散光进行了分析。

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