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应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响

温淑敏, 姚世伟, 赵春旺, 王细军, 李继军

计算物理 2020, 37 (1): 119-126. DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7972

摘要（392）

HTML （3）

PDF （19098KB）（1502）

使用第一性原理密度泛函理论（DFT）框架下的广义梯度近似（GGA+U）方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明：带隙随应变的增加而减小，压应变在（-1%~-3%）范围内变化时带隙变化不明显，压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明，应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响，静态介电常数随应变的增大而增大；应变使GaN的吸收系数减小.

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单轴应变对氮化铟电子结构及光学性质的影响

温淑敏, 姚世伟, 赵春旺, 王细军, 侯清玉

计算物理 2017, 34 (6): 722-730. DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7557

摘要（394）

HTML （0）

PDF （5966KB）（1323）

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，计算单轴应变下闪锌矿氮化铟的电子结构及光学性质.结果表明：施加应变会使带隙变窄.对于拉应变，随着应变增大带隙减小程度增大；对于压应变，随应变增大带隙减小程度减弱；且拉、压应变对带隙调控都是线性的.在能量区间4 eV~12 eV范围内施加应变时，氮化铟的吸收光谱发生红移，随拉应变程度增加，吸收光谱的红移进一步加大；随压应变增加，吸收光谱红移减弱；在该范围内，氮化铟的折射率、反射率随拉应变的增大而增加，随压应变增加减小；施加拉应变时能量损失函数峰值增大，施加压应变后能量损失函数峰值减小.通过施加单轴应变能有效调节氮化铟材料的电结构及光学性质.

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