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未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构
李恩玲, 郗萌, 崔真, 程旭辉, 徐锐, 马德明, 刘满仓, 王雪文
计算物理 2013, 30 (
2
): 277-284.
摘要
（
449
）
PDF
（2295KB）（
1163
）
可视化
用密度泛函理论研究直径为9.5Å,15.9Å和22.5Å,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.
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Ga
n
N
m
+
(
n
=1~8,
m
=1~2)团簇的结构及稳定性的DFT研究
李恩玲, 马红, 陈贵灿, 王雪文
计算物理 2007, 24 (
4
): 480-486.
摘要
（
262
）
PDF
（440KB）（
1146
）
可视化
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-31G
*
水平上对Ga
n
N
+
(
n
=2~8)和Ga
n
N
2
+
(
n
=1~7)阳离子团簇的几何结构、稳定性和振动频率等进行研究,得到Ga
n
N
+
(
n
=2~8)和Ga
n
N
2
+
(
n
=1~7)阳离子团簇的基态结构.其中,Ga
n
N
+
(
n
=2~8)团簇在总原子数≤6时,其几何结构为平面结构,总原子数>6时,其几何结构为立体结构,N原子位于立体结构的中心;Ga
n
N
2
+
(
n
=2~7)团簇在总原子数≤7时,其基态几何结构为平面结构,总原子数>7时,其基态几何结构为立体结构;原子总数为奇数的团簇Ga
4
N
+
,Ga
6
N
+
,Ga
3
N
2
+
和Ga
5
N
2
+
的基态结构较稳定.
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