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第一性原理计算Cu-Cr共掺AlN稀磁半导体

王静, 樊聪, 邓军权, 毋志民, 刘畅, 范凤, 胡爱元, 崔玉亭

计算物理 2016, 33 (1): 99-107.

摘要（493）

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PDF （1282KB）（1747）

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，结合广义梯度（GGA）近似对Cr单掺AlN和Cu-Cr共掺AlN的32原子超原胞体系进行几何结构优化，计算它们的晶格常数，能带结构，电子态密度以及光学性质.结果表明Cr单掺AlN和Cu-Cr共掺AlN均表现为半金属性质，带隙变窄，且Cu-Cr共掺体系自旋极化作用较Cr单掺强，材料表现出良好的铁磁性.共掺杂后，光吸收的范围增宽，体系对长波吸收加强，能量损失明显减小.

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双压电材料三维界面端部力电耦合场奇异性

王静平, 葛仁余, 韩有民, 张金轮, 程长征

计算物理 2016, 33 (1): 57-65.

摘要（330）

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PDF （648KB）（1256）

基于切口根部物理场的幂级数渐近展开假设，从三维应力平衡方程和麦克斯韦方程组出发，导出关于双压电材料楔形界面切口端部奇性指数的特征微分方程组，并将切口的力电学边界条件表达为奇性指数和特征角函数的组合，从而将双压电材料楔形界面切口端部奇性指数的计算转化为相应边界条件下常微分方程组特征值的求解，运用插值矩阵法求解界面端部若干阶应力奇性指数和相应特征函数.计算结果与已有结果对比表明本文方法的有效性和具有较高的计算精度.

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强流脉冲离子束辐照混合双层靶的Monte Carlo模拟

吴迪, 王静, 张建红, 宫野

计算物理 2010, 27 (3): 423-427.

摘要（253）

PDF （320KB）（1118）

采用Monte Carlo方法模拟强流脉冲离子束与铝基钛膜双层靶的相互作用.强流脉冲离子束与双层靶材相互作用过程中,随着离子的注入,高能离子束引起涂层原子与基体材料原子之间相互渗透和混合,同时离子能量沉积到靶材内一定深度,并呈规律性的空间分布.这种能量分布影响靶内两种材料的熔化或气化过程,并导致界面物质结合强度发生变化.利用建立的束流模型,计算束流在靶材内的能量沉积和分布状况及界面处级联碰撞对双层靶界面混合区的影响,得出强流脉冲离子束混合双层靶时级联碰撞不起主要作用的结论,离子流密度在100A·cm^-2~150A·cm^-2时对离子束混合最为有利.

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