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二次电子发射系数对含有超广延分布电子的等离子体器壁电势的影响

赵晓云, 张丙开, 李世刚, 唐义甲

计算物理 2023, 40 (4): 482-489. DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.8611

摘要（139）

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PDF （1059KB）（582）

采用一维模型研究本底电子为麦氏分布的等离子体中存在部分超广延分布的高温电子情况下的二次电子发射系数对器壁电势的影响。数值模拟结果表明: 当器壁二次电子发射系数较小时, 器壁电势随着超广延分布电子与本底电子的浓度比值、温度比值、以及超广延参量这些参数的增加而减小; 当器壁二次电子发射系数较大时, 器壁电势则随着超广延分布电子与本底电子的浓度比值、温度比值、以及超广延参量值的增加而增加。

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两种温度电子对稳态等离子体鞘层的影响

赵晓云, 张开银, 张丙开, 李世刚

计算物理 2013, 30 (5): 733-738.

摘要（335）

PDF （1260KB）（1201）

建立包含冷热电子的无碰撞等离子体鞘层的流体模型,利用数值模拟研究含有两种温度电子时等离子体鞘层的产生.结果表明:对于含有两种不同温度电子的稳态等离子体,冷电子的温度越低或者冷电子的含量越多,鞘边离子的马赫数临界值就越小,鞘层的宽度就变得越窄,沉积器壁的离子动能流也就越少.此外,研究不同种类的等离子体(Ar、Ke、Xe),鞘层厚度和离子沉积器壁动能流受冷电子的影响.

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碰撞对两种正离子的电负性磁鞘影响的数值研究

赵晓云, 张丙开, 武山, 李世刚

计算物理 2012, 29 (6): 859-866.

摘要（382）

PDF （934KB）（980）

建立包括两种正离子的电负性磁鞘的流体模型,利用四阶龙格库塔法数值求解描述一维稳态等离子体鞘层的方程组,考察离子与中性粒子碰撞对一维稳态等离子体鞘层的影响.结果表明:鞘边Ar⁺与He⁺的含量比值与碰撞参数对离子马赫数的取值范围都有影响.鞘边负离子含量越少,碰撞对鞘层中带电粒子密度的影响越明显.并且随碰撞参数的加大,鞘层中电子、负离子的密度下降越快,两种正离子的密度则呈现不同的波动变化.鞘边负离子含量越多,碰撞对鞘层中两种正离子的速度影响就越明显.此外,碰撞参数越大对鞘边δ越大的鞘层中的带电粒子密度影响越大.

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