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正态分布近似式的研究
郑金成, 蔡淑惠, 王仁智, 郑永梅, 程灿东
计算物理 1997, 14 (
S1
): 733-733.
摘要
(
166
)
PDF
(54KB)(
989
)
可视化
正态分布是一种重要的概率分布,在许多情况下,简单的近似解析方程有助于问题的解决。通过将理论计算与数值模拟相结合的方法给出了一个较好的近似式。
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三元合金异质结(AlP)
x
(Si
2
)
1-
x
/GaP和(GaP)
x
(Si
2
)
1-
x
/GaP的价带带阶
蔡淑惠, 郑金成, 王仁智, 郑永梅
计算物理 1997, 14 (
S1
): 542-544.
摘要
(
223
)
PDF
(137KB)(
964
)
可视化
采用基于LMTO-ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了两组晶格匹配三元合金异质结(AlP)
x
(Si
2
)
1-
x
/GaP和(GaP)
x
(Si
2
)
1-
x
/GaP的价带带阶Δ
E
v
(
x
)值。研究表明,两组异质结的Δ
E
v
(
x
)值随合金组分
x
的变化都是非线性的,且表现出非单调的关系。
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Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算
王仁智, 郑永梅, 柯三黄, 黄美纯, 朱梓忠
计算物理 1996, 13 (
2
): 136-140.
摘要
(
306
)
PDF
(372KB)(
930
)
可视化
在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的Δ
E
v
值理论计算方法,该方法在以Si为衬底、以Ge为衬底和自由共度生长等3种不同应变情况的Si/Ge异质结价带偏移Δ
E
v
值计算中,分别得到0.731eV、0.243eV和0.521eV的计算结果。
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