导航切换
计算物理
首页
期刊介绍
期刊简介
基本信息
征稿简则
期刊历史
编委会
第七届编委会
历届编委会
作者中心
投稿须知
作者登录
下载中心
修稿通知
最新录用
审稿中心
专家审稿
编委审稿
主编审稿
审稿政策
常见问题
常见问题
联系我们
English
期刊
出版年
关键词
结果中检索
(((陈存礼[Author]) AND 1[Journal]) AND year[Order])
AND
OR
NOT
文题
作者
作者单位
关键词
摘要
分类号
DOI
Please wait a minute...
选择:
导出引用
EndNote
Ris
BibTeX
显示/隐藏图片
Select
GaAs中过渡金属深杂质能级的计算
华文玉, 陈存礼
计算物理 1993, 10 (
2
): 227-231.
摘要
（
245
）
PDF
（326KB）（
1007
）
可视化
本文采用41个原子的原子族模型来模拟晶体,用电荷-组态自洽(SCCC)的EHMO方法和在边界上用"类Ga"和"类As"原子来饱和悬挂键,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得杂质能级在带隙中的位置与实验结果相符。
相关文章
|
多维度评价
