采用密度泛函理论的第一性原理计算, 研究了Mn、Sn掺杂α-CsPbI3体系的缺陷形成能、转变能级和载流子非辐射复合系数。研究发现: Mn掺入CsPbI3会使体系的晶格常数明显减小, Sn掺杂体系晶格常数略有减小, 提高了材料的稳定性。两种体系的深能级缺陷均靠近导带, 主要从导带中俘获电子。Mn、Sn元素的掺杂改善了完美体系声子能量分布情况, 增强了材料的热输运能力。Sn掺杂体系空穴的非辐射复合系数远高于Mn掺杂体系, 且两种掺杂体系非辐射复合系数均高于含本征缺陷Ii和ICs的CsPbI3, 因此杂质可能引入了非辐射复合中心。这些研究结果为Mn、Sn掺杂CsPbI3体系在实验上提供了数据支持, 为CsPbI3钙钛矿的掺杂改性提供了理论指导。
