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硅锥场发射阵列中离子轰击现象的分析

高迎宾, 张晓兵, 雷威, 王保平

计算物理 2005, 22 (1): 38-42.

摘要（242）

PDF （348KB）（1007）

离子轰击影响尖端场致发射器件的稳定性和工作寿命.阐述了数值模拟硅锥阴极离子轰击现象的基本理论,并以硅锥场发射阵列的一个单元结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰尖端的全过程,对模型中的硅锥受损的位置和程度进行了分析,得出了一些结论.

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带电粒子光学系统优化问题的研究

雷威, 尹涵春, 屠彦

计算物理 1998, 15 (5): 587-594.

摘要（308）

PDF （305KB）（1014）

对带电粒子光学系统的优化过程进行了研究,提出将象差的优化与透镜场形的优化分离开来。在象差的优化中考虑含光学参数的隐式约束条件。该优化过程只需做简单的积分运算,因此不必花费时间计算电磁场。在透镜场形的优化中,其优化模型与一般电磁系统的优化完全一样,因而可以采用已经研究的很多的电磁场的优化方法来优化透镜的场形。计算了两个优化的实例。

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利用概率分布计算电子束聚焦状态

雷威

计算物理 1998, 15 (2): 177-183.

摘要（249）

PDF （269KB）（1109）

世界各国的学者对电子束的聚焦性能已经做了广泛的研究,提出了许多分析电子束聚焦性能的方法,在这些方法的基础上,试图利用概率分布函数来描述电子束的聚焦过程。该方法将电子的发射看做是随机过程,并从轨迹的落点的概率分析了电子束的形状和大小,避免了杂散小峰的影响。

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利用Monte Carlo法计算粒子传输中的空间电荷效应

雷威, 尹涵春

计算物理 1997, 14 (6): 787-795.

摘要（296）

PDF （369KB）（1106）

在电子束印刷(electron-beam lithography)、聚焦离子束(focus ion beam)以及阴极射线管(cathode ray tube)等电子及离子束器件中,束中各粒子之间存在相互作用,产生空间电荷效应。人们对电子及离子束器件中的空间电荷效应已经做了大量的研究。到目前为止,通常采用Monte Carlo法计算粒子输运过程中的离散的空间电荷效应。在此主要研究在束形成区利用Monte Carlo法计算空间电荷效应,并讨论在计算过程中出现的边缘效应,在此基础上提出一些新的处理方法以减小边缘效应,提高计算效率。

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阴极区热电子发射的数值模拟

雷威

计算物理 1997, 14 (6): 749-754.

摘要（233）

PDF （237KB）（1066）

在电子束及粒子束器件中,发射系统直接影响整个器件的质量。因此,对发射系统的分析就显得非常重要。对热阴极发射的数值计算方法做了一定的探讨。对常用的平板二极管模型进行了分析,从而了解了由于这种模型而引起的计算误差。针对这些问题,采用了一些其它的处理方法来模拟热阴极的电子发射。

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彩色显示管电子光学系统的计算和分析

雷威, 童林夙

计算物理 1996, 13 (3): 323-332.

摘要（252）

PDF （356KB）（1001）

为了实现高清晰度显示,大量采用非旋转对称的系统以减小电子束上屏的束点尺寸。考虑到目前电子光学系统的一些新特点,采用一些特殊的模拟方法利用SEU-3D三维程序计算和分析了彩色显示管中电子光学系统

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偏转线圈的数值计算模型

雷威, 童林夙, 杨蕙

计算物理 1996, 13 (3): 257-263.

摘要（241）

PDF （274KB）（1013）

由于偏转系统结构复杂,并加有铁磁材料,因此采用FEM计算具有许多优越性。偏转系统中偏转场的分布没有明确的边界,应做为开域问题处理。结合偏转场的一些自身特点,提出采用FEM-BEM计算偏转场,该方法与一般的混合法不同,它既保证了偏转轨迹的计算准确性,同时又减小了对计算机计算速度和内存的要求

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电子光学系统质量的模糊二级综合评判

雷威, 童林夙, 杨蕙

计算物理 1995, 12 (4): 461-466.

摘要（270）

PDF （361KB）（889）

采用模糊二级综合评判来比较不同屏面位置时的电子光学系统的质量,从而找到一个最佳的屏面位置。

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电子枪发射系统的计算方法

雷威, 童林夙, 杨蕙

计算物理 1995, 12 (3): 426-432.

摘要（292）

PDF （406KB）（1034）

提出一种混合计算方法,当电场精度较低时把电子的发射做为连续过程处理,当电场的精度较高时考虑电子发射的随机性.这种方法在保证计算准确性的前提下,较大程度地缩短了计算时间。

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