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硅锥场发射阵列中离子轰击现象的分析

高迎宾, 张晓兵, 雷威, 王保平

计算物理 2005, 22 (1): 38-42.

摘要（242）

PDF （348KB）（1010）

离子轰击影响尖端场致发射器件的稳定性和工作寿命.阐述了数值模拟硅锥阴极离子轰击现象的基本理论,并以硅锥场发射阵列的一个单元结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰尖端的全过程,对模型中的硅锥受损的位置和程度进行了分析,得出了一些结论.