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Bi
4
Se
3
薄膜的声子结构及电声子相互作用的第一性原理研究
刘霞, 杜晓, 张骏杰, 黄桂芹
计算物理 2016, 33 (
4
): 483-489.
摘要
（
673
）
HTML
（
2
）
PDF
（2478KB）（
1901
）
可视化
基于密度泛函微扰理论，运用第一性原理研究两种终结面的Bi
4
Se
3
薄膜的声子结构和电-声子相互作用.结果表明两种终结面的Bi
4
Se
3
薄膜体系都是动力学稳定的. Bi
4
Se
3
薄膜中插入的Bi
2
双原子层与Bi
2
Se
3
五原子层的声子投影态密度并不完全匹配，这会阻碍部分声子的输运，降低热导，从而有利于提高材料的热电性能.另外，两种终结面的Bi
4
Se
3
薄膜的电-声子耦合系数都不太大（约0.278），有利于制备基于室温工作的电子学器件.
参考文献
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采用Gauss 94量子化学程序实施团簇嵌入离子晶体
黄桂芹
计算物理 2002, 19 (
3
): 234-238.
摘要
（
234
）
PDF
（251KB）（
1100
）
可视化
在Gauss 94基础上提出了一种团簇嵌入晶格技术,团簇中的电子和核都处于周围无限大晶格产生的库仑场中,库仑势由Ewald方法计算.对相应的单电子Hamilton算符及团簇系统总能量进行了修改.应用此嵌入技术对NaF:Cu
+
系统及NaF中F心缺陷进行了研究,计算出的NaF:Cu
+
系统的垂直激发能及F心光学激发能均与实验值符合得较好,说明了此种嵌入技术是切实可行的.
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