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电流驱动凹槽磁纳米带内斯格明子的移动特性
张光富, 张赛文, 邓杨保, 熊翠秀, 谭伟石
计算物理
2021, 38 (2):
199-205.
DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.8234
基于微磁学理论和模拟研究电流驱动的斯格明子的移动特性。相对于纳米带，凹槽纳米带可提供更大的边缘排斥力抑制斯格明子横向移动，最大驱动电流（Jmax）和最大斯格明子移动速度（Vmax）显著增加。随着注入电流密度的增加，凹槽纳米带内斯格明子移动速度先增加到最大速度，而后减小或保持不变。通过增加边缘宽度或厚度，Jmax和Vmax线性增加。研究凹槽纳米带边缘厚度与宽度对斯格明子移动的调制规律，并基于微磁学理论对其进行解释。为基于纳米带结构的自旋电子器件的开发提供理论依据。
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