计算物理
结终端采用JTE保护技术的4H-SiC PiN二极管模拟和研制
张发生, 张玉明
Simulation and Fabrication of High-Voltage 4H-SiC PiN Diode with JTE
ZHANG Fasheng, ZHANG Yuming
计算物理 . 2011, (2): 306 -312 . 

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