二极管区对虚阴极振荡器影响的数值模拟

doi:10.3969/j.issn.1001-246X.2000.01.018

计算物理 ›› 2000, Vol. 17 ›› Issue (S1): 102-106.DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2000.01.018

二极管区对虚阴极振荡器影响的数值模拟

孟萃, 陈雨生, 刘国治

西北核技术研究所, 陕西西安 710024

收稿日期:1999-07-27 修回日期:1999-09-24 出版日期:2000-12-25 发布日期:2000-12-25
作者简介:盂萃(1970~),女,吉林延吉,博士生,从事电磁场与微波技术理论计算的研究,西安69信箱15分箱,710024

THE NUMERICAL SIMULATION OF THE DIODE REGION AFFECTING ON THE VIRCATOR

MENG Cui, CHEN Yu-sheng, LIU Guo-zhi

Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi'an, 710024, P R China

Received:1999-07-27 Revised:1999-09-24 Online:2000-12-25 Published:2000-12-25

摘要/Abstract

摘要： 将FDTD与PIC方法相结合,编制了二维、全电磁、相对论性的粒子模拟程序,对电子直接从阴极表面发射的虚阴极振荡器的物理过程进行了数值模拟。主要对电子从虚阴极返回二极管区并重新注入漂移区以及阴阳极间电压的影响进行了初步探讨。

关键词: 时域有限差分, 粒子模拟, 虚阴极振荡器, 高功率微波

Abstract: It develops a two-dimensional,fully electromagnetic,relativistic FDTD computer code combined with the PIC method.The physical process of the vircator that electrons are emitted from cathode is simulated.The effects of applied voltage and reflected electrons from the vircator to the diode region are studied preliminarily.

Key words: FDTD method, PIC method, vircator, high power microwave

中图分类号:

孟萃, 陈雨生, 刘国治. 二极管区对虚阴极振荡器影响的数值模拟[J]. 计算物理, 2000, 17(S1): 102-106.

MENG Cui, CHEN Yu-sheng, LIU Guo-zhi. THE NUMERICAL SIMULATION OF THE DIODE REGION AFFECTING ON THE VIRCATOR[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2000, 17(S1): 102-106.

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THE NUMERICAL SIMULATION OF THE DIODE REGION AFFECTING ON THE VIRCATOR

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