半导体瞬态问题计算方法的新进展

doi:10.3969/j.issn.1001-246X.2009.03.001

计算物理 ›› 2009, Vol. 26 ›› Issue (3): 317-324.DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2009.03.001

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半导体瞬态问题计算方法的新进展

袁益让

山东大学数学研究所, 济南 250100

收稿日期:2007-10-15 修回日期:2008-06-20 出版日期:2009-05-25 发布日期:2009-05-25
作者简介:袁益让(1935-),男,江苏靖江,教授,主要从事偏微分方程数值解法,能源和环境科学的数值模拟研究.
基金资助:
国家重点基础研究发展规划(G19990328);国家攻关(2005020069);国家自然科学基金(1077112410372052);教育部博士点基金(20030422047)资助项目

Recent Progress in Numerical Methods for Semiconductor Devices

YUAN Yirang

Institute of Mathematics, Shandong University, Jinan 250100, China

Received:2007-10-15 Revised:2008-06-20 Online:2009-05-25 Published:2009-05-25

摘要/Abstract

摘要： 综述三维热传导型半导体瞬态问题计算方法的新进展.数学模型是一类由四个方程组成的非线性耦合对流-扩散偏微分方程组的初边值问题.重点研究特征分数步差分方法,修正迎风分数步差分方法,特征交替方向变网格有限元方法,区域分裂及并行计算.

关键词: 半导体器件, 特征和迎风差分, 分数步法, 交替方向和区域分裂, 数值分析

Abstract: Numerical methods for transient behavior of semiconductor devices are studied.Mathematical model of a three-dimensional semiconductor device with heat conduction is described by a initial boundary value problem with four quasilinear partial differential equations.Finite difference fractional step method,characteristic finite element alternating direction method,domain decomposition method and theoretical analysis are focused on.

Key words: semiconductor device, characteristic and upwind finite difference, fractional step method, alternating-direction and domain decomposition, numerical analysis

中图分类号:

O241.82

袁益让. 半导体瞬态问题计算方法的新进展[J]. 计算物理, 2009, 26(3): 317-324.

YUAN Yirang. Recent Progress in Numerical Methods for Semiconductor Devices[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2009, 26(3): 317-324.

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半导体瞬态问题计算方法的新进展

Recent Progress in Numerical Methods for Semiconductor Devices

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